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参数资料
| 型号： | IRGB5B120KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IRGB5B120KD |
IRGB5B120KD
www.irf.com
11
Fig.WF2-Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
=125°C using Fig. CT4
Fig.WF2-Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
=125°C using Fig. CT4
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Time (uS)
V
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
Eoff Loss
5% Vce
5% Ice
90% Ice
tf
-800
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
200
-0.25
-0.10
0.05
0.20
0.35
time (μs)
V
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
I
Peak
Irr
QRR
trr
10%
Peak
IRR
Fig.WF3-Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
=125°C using Fig. CT4
Fig.WF4-Typ. S.C. Waveform
@ T
C
=150°C using Fig. CT3
-200
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Time (uS)
V
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
Eon Loss
10% test current
5% VCE
90% test current
TEST CURRENT
tr
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.00
10.00
20.00
Time(uS)
30.00
40.00
50.00
V
0
20
40
60
80
100
I
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGBC40S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRGB6B60K | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB |
| IRGB6B60KD | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 13A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:13A, Collecto |
| IRGB6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB6B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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