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参数资料
| 型号： | IRGB5B120KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IRGB5B120KD |
IRGB5B120KD
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 125°C; L=3.7mH; V
CE
= 600V
R
G
= 50
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 125°C; L=3.7mH; V
CE
= 600V
R
G
= 50
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 125°C; L=3.7mH; V
CE
= 600V
I
CE
= 6.0A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 125°C; L=3.7mH; V
CE
= 600V
I
CE
= 6.0A; V
GE
= 15V
0
100
200
300
400
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
4
8
12
16
20
IC (A)
0
200
400
600
800
1000
1200
E
EOFF
EON
4
6
8
10
12
14
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
100
200
300
400
RG (
)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
E
EON
EOFF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGBC40S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRGB6B60K | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB |
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| IRGB6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB6B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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