- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384501 > IRGB5B120KD (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRGB5B120KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IRGB5B120KD |
IRGB5B120KD
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 125°C
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
5
10
15
20
VGE (V)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 6.0A
ICE = 12A
ICE = 24A
5
10
15
20
VGE (V)
0
10
20
30
40
50
IC
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
5
10
15
20
VGE (V)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 6.0A
ICE = 12A
ICE = 24A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 6.0A
ICE = 12A
ICE = 24A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGBC40S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) |
| IRGBF20 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRGB5B120KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 1200V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB6B60K | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB |
| IRGB6B60KD | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 13A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:13A, Collecto |
| IRGB6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IRGB6B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。