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参数资料
| 型号： | IRGB5B120KD |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | IRGB5B120KD |
IRGB5B120KD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 125°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 125°C; I
F
= 6.0A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 600V; V
GE
= 15V;T
J
= 125°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 600V; V
GE
= 15V;
I
F
= 6.0A; T
J
= 125°C
0
100
200
300
400
500
RG (
)
0
2
4
6
8
10
IR
0
2
4
6
8
10
12
IF (A)
0
2
4
6
8
10
IR
RG = 50
RG =150
RG =270
RG =470
0
100
200
300
400
500
diF /dt (A/μs)
0
2
4
6
8
10
IR
0
100
200
300
400
500
600
diF /dt (A/μs)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
QR
50
150
270
470
9.0A
6.0A
3.0A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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