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参数资料
| 型号： | IRGP50B60PD1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS IGBT |
| 中文描述： | 的SMPS IGBT |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 468K |
| 代理商： | IRGP50B60PD1 |
IRGP50B60PD1
www.irf.com
5
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, I
CE
= 33A; V
GE
= 15V
Diode clamp used: 30ETH06 (See C.T.3)
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, I
CE
= 33A; V
GE
= 15V
Diode clamp used: 30ETH06 (See C.T.3)
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 15
- Typ. Output Capacitance
Stored Energy vs. V
CE
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 33A
0
5
10
15
20
25
RG (
)
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
EON
EOFF
0
5
10
15
20
25
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
50
100
150
200
250
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
400V
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE (V)
0
10
20
30
40
Eo
Fig. 18
- Normalized Typ. V
CE(on)
vs. Junction Temperature
I
C
= 33A, V
GE
= 15V
-50
0
50
100
150
200
TJ (°C)
0.8
1.0
1.2
1.4
NC
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