收藏本站
参数资料
型号： IRGP50B60PD1
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS IGBT
中文描述： 的SMPS IGBT
文件页数： 8/10页
文件大小： 468K
代理商： IRGP50B60PD1
IRGP50B60PD1
8
www.irf.com
Fig.C.T.1
- Gate Charge Circuit (turn-off)
Fig.C.T.2
- RBSOA Circuit
L
Rg
80 V
DUT
480V
1K
VCC
DUT
0
L
Fig.C.T.4
- Resistive Load Circuit
Rg
VCC
DUT
R =
V
CC
I
CM
Fig.C.T.3
- Switching Loss Circuit
Fig. C.T.5
- Reverse Recovery Parameter
Test Circuit
REVERSE RECOVERY CIRCUIT
IRFP250
D.U.T.
L = 70μH
V = 200V
0.01
G
D
S
dif/dt
PFC diode
L
Rg
VCC
DUT /
DRIVER
相关PDF资料
PDF描述
IRGPC20MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
IRGPC30FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRGPC30UD2 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRGPC40 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
IRGPC40FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
相关代理商/技术参数
参数描述
IRGP50B60PD1_06 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP50B60PD1-EP 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP50B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP50B60PDPBF 功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGP8B120UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*