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参数资料
| 型号： | IRGP50B60PD1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS IGBT |
| 中文描述： | 的SMPS IGBT |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 468K |
| 代理商： | IRGP50B60PD1 |
IRGP50B60PD1
www.irf.com
7
Fig. 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Fig 23.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.363 0.000112
0.864 0.001184
0.473 0.032264
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.157 0.000346
0.163 4.28
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
Fig. 25
- Forward SOA, T
C
= 25°C; T
J
≤
150°C
1
10
100
1000
10000
VCE , Collector-to-Emitter Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
IC
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
100μsec
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