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参数资料
型号： IRGP50B60PD1
厂商： International Rectifier
英文描述： SMPS IGBT
中文描述： 的SMPS IGBT
文件页数： 6/10页
文件大小： 468K
代理商： IRGP50B60PD1
IRGP50B60PD1
6
www.irf.com
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dif
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I = 30A
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I
I
I = 5.0A
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di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 30A
I = 15A
I = 5.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
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di /dt - (A/μs)
d
I = 5.0A
I = 15A
I = 30A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
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PDF描述
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