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参数资料
| 型号： | IRHLUB7930Z4 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (UB) |
| 中文描述： | 抗辐射功率MOSFET的逻辑电平表面贴装（布法罗） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 180K |
| 代理商： | IRHLUB7930Z4 |
IRHLUB7970Z4
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
0.1
0.2
0.4
0.5
0.6
-
D
1
0.00001
10
100
1000
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHLUB7970Z4 | RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (UB) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRHLUB7970Z4SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 0.53A 3PIN UB - Rail/Tube |
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