参数资料
型号: IRL3803STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 10/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 140A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 71A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL3803S/L
Tape & Reel Information
D 2 Pak
TRR
1.60 (.063)
1.50 (.059)
FEED DIRECTION 1.85 (.073)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
11.60 (.457)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.65 (.065)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
TRL
1.75 (.069)
10.90 (.429)
10.70 (.421)
1.25 (.049)
16.10 (.634)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
15.90 (.626)
FEED DIRECTION
NOTES :
330.00
(14.173)
MAX.
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
4
Data and specifications subject to change without notice.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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PDF描述
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参数描述
IRL3803STRRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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