参数资料
型号: IRL3803STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 140A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 71A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL3803S/L
D 2 Pak Package Outline
10.54 (.415)
10.29 (.405)
4.69 (.185)
-B-
10.16 (.400)
REF.
1.40 (.055)
MAX.
-A-
2
4.20 (.165)
1.32 (.052)
1.22 (.048)
6.47 (.255)
6.18 (.243)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1
3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
3X
1.40 (.055)
1.14 (.045)
5.08 (.200)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
0.25 (.010)
M
B A M
0.55 (.022)
0.46 (.018)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
8.89 (.350)
REF.
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRIN T
11.43 (.450)
NOTES:
LEAD ASSIGNMENTS
8.89 (.350)
1
DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
1 - GATE
2
3
4
DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION : INCH.
HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
2 - DRAIN
3 - SOURCE
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
17.78 (.700)
2.54 (.100)
2X
Part Marking Information
D 2 Pak
INTERNATIONAL
A
PART NUMBER
8
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9246
9B 1M
DATE CODE
(YYWW)
YY = YEAR
WW = WEEK
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
IRL3803STRRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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