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参数资料
| 型号： | IRL3803STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 71A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3803S/L
C iss C = C + C
10000
8000
6000
4000
C oss
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
oss ds gd
15
12
9
6
I D = 71A
V DS = 24V
V DS = 15V
C rss
2000
3
FOR TEST CIRCUIT
0
A
0
SEE FIGURE 13
A
1
10
100
0
40
80
120
160
200
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10μs
100
T J = 175°C
100
100μs
T J = 25°C
1ms
10
V GS = 0V
A
10
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10ms
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
1
10
100
4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3803 | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB |
| IRL510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| IRL520NSTRR | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| IRL530NSTRR | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| IRL530STRL | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3803STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3803V | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3803VL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3803VLPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3803VPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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