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参数资料
| 型号： | IRL3803STRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 140A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 71A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL3803S/L
140
LIMITED BY PACKAG E
V DS
R D
V DD
120
100
R G
V GS
D.U.T.
+
-
80
60
40
20
0
4.5V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( C)
°
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
P DM
t 1
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3803 | MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB |
| IRL510STRLPBF | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| IRL520NSTRR | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| IRL530NSTRR | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK |
| IRL530STRL | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL3803STRRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL3803V | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3803VL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3803VLPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRL3803VPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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