参数资料
型号: IRL3803STRR
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 140A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫欧 @ 71A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 5000pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL3803S/L
10000
1000
100
10
1
0.1
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.0V
2.0V
20μs PULSE WIDTH
10000
1000
100
10
1
0.1
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.0V
2.0V
20μs PULSE WIDTH
0.01
0.1
1
T J = 25°C
10
A
100
0.01
0.1
1
T J = 175°C
10
A
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25°C
T J = 175°C
2.0
I D = 120A
1.5
10
1.0
1
0.5
0.1
V DS = 25V
0.01
2.0
3.0
4.0
5.0
20μs PULSE WIDTH
6.0 7.0 8.0 9.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
A
80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述
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参数描述
IRL3803STRRPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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