- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRL630STRR (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRL630STRR |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 5.4A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRL630S, SiHL630S
Vishay Siliconix
10
V DS
R D
8
R g
V GS
D.U.T.
+
- V DD
5V
6
4
2
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
0
25
50
75
100
125
A
150
T C , Case Temperature (°C)
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
D = 0.50
0.20
0.10
P D M
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
N o te s :
1 . D u ty fa c to r D = t
1
/ t
2
t
1
t
2
10 A
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
2 . P e a k T J = P D M x Z th J C + T C
0.1 1
A
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 90390
S11-1044-Rev. C, 30-May-11
www.vishay.com
5
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL640A | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| IRL640L | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 |
| IRL640STRR | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
| IRLBD59N04ETRLP | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| IRLD014 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL630STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL631 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRL6342PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14.6mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL6342TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL6372PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N-CH LO LOGIC LEVEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。