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参数资料
| 型号： | IRLIZ44G |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 18A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLIZ44G |
IRLIZ44G, SiHLIZ44G
Vishay Siliconix
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
5 V
P u lse w idth ≤ 1 μ s
D u ty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
L
V ary t p to o b tain
re qu ired I AS
V DS
t p
V DS
V DD
R G
D.U.T
I AS
+
-
V DD
V DS
5 V
t p
0.01 Ω
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 91318
S09-0037-Rev. A, 19-Jan-09
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIZ44G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLIZ44GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ44N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC FULLPAK |
| IRLIZ44NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 30A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
| IRLIZ44NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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