- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLIZ44G (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLIZ44G |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 18A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLIZ44G |
IRLIZ44G, SiHLIZ44G
Vishay Siliconix
Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit
D.U.T.
+
Circ u it layo u t considerations
? Lo w stray ind u ctance
? Gro u nd plane
? Lo w leakage ind u ctance
c u rrent transformer
-
+
-
R G
-
+
+
? d V /dt controlled b y R G
? I SD controlled b y d u ty factor "D"
? D.U.T. - de v ice u nder test
-
V DD
Dri v er gate dri v e
P. W .
Period
D=
P. W .
Period
V GS = 10 V *
D.U.T. I SD w a v eform
Re v erse
reco v ery
Body diode for w ard
c u rrent
c u rrent
dI/dt
D.U.T. V DS w a v eform
Diode reco v ery
Re-applied
d V /dt
V DD
v oltage
Ind u ctor c u rrent
Body diode for w ard drop
Ripple ≤ 5 %
I SD
* V GS = 5 V for logic le v el and 3 V dri v e de v ices
Fig.14 - For N-Channel
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91318 .
Document Number: 91318
S09-0037-Rev. A, 19-Jan-09
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL014NTR | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| IRLL2703TR | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 |
| IRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 |
| IRLL3303 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 |
| IRLM120ATF | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIZ44G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLIZ44GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ44N | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC FULLPAK |
| IRLIZ44NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 30A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
| IRLIZ44NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。