- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLML2502TR (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLML2502TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML2502TR IRLML2502 IRLML2502-ND IRLML2502CT |
IRLML2502
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.01
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
?
μA
nA
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
0.60
5.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.035
0.050
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
1.8
1.7
7.5
10
54
26
740
90
66
0.045 V GS = 4.5V, I D = 4.2A ?
0.080 V GS = 2.5V, I D = 3.6A ?
1.2 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 10V, I D = 4.0A
1.0 V DS = 16V, V GS = 0V
25 V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 70°C
-100 V GS = -12V
100 V GS = 12V
12 I D = 4.0A
2.7 nC V DS = 10V
2.6 V GS = 5.0V ?
––– V DD = 10V
––– I D = 1.0A
––– R G = 6 ?
––– R D = 10 ? ?
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 15V
––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
1.3
33
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
16
8.6
1.2
24
13
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 1.3A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 1.3A
di/dt = 100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 5sec.
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLML2803GTRPBF | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 |
| IRLML2803TR | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 |
| IRLML5103TR | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 |
| IRLML6302TR | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| IRLML6344TRPBF | MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML2502TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R |
| IRLML2502TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML2502TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLML2502TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 20 V 1.25 W 8 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 |
| IRLML2803 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-23 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。