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参数资料
| 型号： | IRLML2502TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | Micro3?/SOT-23 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLML2502TR IRLML2502 IRLML2502-ND IRLML2502CT |
IRLML2502
100
TOP
VGS
7.00V
100
TOP
VGS
7.00V
10
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
2.25V
20μs PULSE WIDTH
10
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
2.25V
20μs PULSE WIDTH
1
T J = 25 ° C
1
T J = 150 ° C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 4.0A
10
2.0
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
2.4 2.8 3.2 3.6
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
V GS = 4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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