参数资料
型号: IRLML2502TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 740pF @ 15V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: Micro3?/SOT-23
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: *IRLML2502TR
IRLML2502
IRLML2502-ND
IRLML2502CT
IRLML2502
Micro3 ? Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D
-B-
3
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
2 - SOURCE
3 - DRAIN
A
A1
.032
.001
.044
.004
0.82
0.02
1.11
0.10
3
E
-A-
1
3
2
H
0.20 ( .008 )
M
A M
B
C
D
.015
.004
.105
.021
.006
.120
0.38
0.10
2.67
0.54
0.15
3.05
e
e1
.0750 BASIC
.0375 BASIC
1.90 BASIC
0.95 BASIC
e
e1
E
H
L
.047
.083
.005
.055
.098
.010
1.20
2.10
0.13
1.40
2.50
0.25
A
θ
θ
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
-C-
B
3X
A1
0.008 (.003)
L
C
0.80 ( .031 )
3X
0.10 (.004)
M
C AS B S
3X
3X
0.90
( .035 )
3X
2.00
( .079 )
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2. CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
www.irf.com
0.95 ( .037 )
2X
7
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