型号: | IRLML6401 |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 4/9页 |
文件大小: | 142K |
代理商: | IRLML6401 |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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IRLML6401GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
IRLML6401GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLML6401PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P -12V -4.3A MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -12V, -4.3A, MICRO 3 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, -12V, -4.3A, MICRO 3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-550mV ;RoHS Compliant: Yes |
IRLML6401PBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance, P-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint |
IRLML6401TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |