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参数资料
| 型号： | IRLML6401 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | IRLML6401 |
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-
D
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
-1.9A
-3.4A
-4.3A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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