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参数资料
| 型号： | IRLMS2002TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-6, 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS2002TR IRLMS2002CT |
IRLMS2002
0.040
0.035
0.030
0.10
0.08
0.06
0.025
Id = 5.3A
0.04
VGS= 2.5V
VGS = 4.5V
0.020
0.02
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0
10
20
30
40
6
VGS, Gate -to -Source Voltage ( V )
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
ID, - Drain Current (A )
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS4502TR | MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP |
| IRLMS5703TR | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| IRLMS6702TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| IRLR014NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS2002TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.5A 6PIN MICRO6 - Tape and Reel |
| IRLMS2002TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS2002TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 |
| IRLMS4502 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLMS4502TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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