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参数资料
| 型号： | IRLMS2002TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-6, 6-TSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS2002TR IRLMS2002CT |
IRLMS2002
Micro6 ? Part Marking Information
Notes: This part marking information applies to devices produced before 02/26/2001
EXAMPLE: THIS IS AN IRLMS6702
WW = (1-26) IF PRECEDED BY L AST DIGIT OF CALENDAR YEAR
WORK
YEAR
Y
WEEK
W
PART NUMBER
TOP
DATE
CODE
2001
2002
2003
2004
2005
1996
1997
1
2
3
4
5
6
7
01
02
03
04
A
B
C
D
1998
8
WAFER LOT
1999
9
NUMBER CODE
2000
0
24
X
BOT TOM
25
26
Y
Z
PART NUMBER CODE REFERENCE:
WW = (27-52) IF PRECEDED BY A LETT ER
2A =
IRLMS 1902
WORK
2B =
2C =
2D =
2E =
2F =
2G =
2H =
IRLMS 1503
IRLMS 6702
IRLMS 5703
IRLMS 6802
IRLMS 4502
IRLMS 2002
IRLMS 6803
YEAR
2001
2002
2003
2004
2005
1996
1997
Y
A
B
C
D
E
F
G
WEEK
27
28
29
30
W
A
B
C
D
1998
H
DAT E CODE EXAMPLES:
1999
J
YWW = 9603 = 6C
YWW = 9632 = FF
2000
K
50
51
X
Y
Notes: This part marking information applies to devices produced after 02/26/2001
W = (1-26) IF PRECEDED BY LAS T DIGIT OF CALENDAR YEAR
WORK
YEAR
Y
WEEK
W
Y = YEAR
2001
1
01
A
PART NUMBER
W = WEEK
2002
2003
2004
2
3
4
02
03
04
B
C
D
2005
5
LOT
1996
6
TOP
CODE
1997
1998
1999
7
8
9
PART NUMBER CODE REFERENCE:
A=
IRLMS 1902
2000
0
24
25
26
X
Y
Z
B=
C=
IRLMS 1503
IRLMS 6702
W = (27-52) IF PRECEDED BY A LET TER
WORK
D=
E=
F=
G=
H=
IRLMS 5703
IRLMS 6802
IRLMS 4502
IRLMS 2002
IRLMS 6803
YEAR
2001
2002
2003
2004
2005
Y
A
B
C
D
E
WEEK
27
28
29
30
W
A
B
C
D
1996
1997
1998
1999
F
G
H
J
2000
K
50
51
52
X
Y
Z
This product has been designed and qualified for the consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information .
Data and specifications subject to change without notice. 01/03
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS4502TR | MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP |
| IRLMS5703TR | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP |
| IRLMS6702TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| IRLMS6802TR | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| IRLR014NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS2002TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.5A 6PIN MICRO6 - Tape and Reel |
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| IRLMS2002TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 |
| IRLMS4502 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLMS4502TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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