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参数资料
| 型号： | IRLMS5703 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | IRLMS5703 |
IRLMS5703
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
–––
0.01
–––
–––
–––
–––
-1.0
–––
1.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.2
–––
1.4
–––
2.3
–––
10
–––
12
–––
20
–––
8.4
–––
170
–––
89
–––
44
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.20
0.40
–––
–––
-1.0
-25
100
-100
11
2.1
3.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -1.6A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -0.80A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -0.80A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -1.6A
V
DS
= -24V
V
GS
= -10V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= -15V
I
D
= -1.6A
R
G
= 6.2
R
D
= 9.2
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.6A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
29
27
-1.2
44
41
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
-13
–––
–––
–––
-1.7
–––
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
I
SD
≤
-1.6A, di/dt
≤
-140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
5sec.
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