- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384507 > IRLMS5703 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLMS5703 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | IRLMS5703 |
!
"
!
#
!
!
$%
%
$%&
'
%
%
%
%!
%
%
%&
$%
%
%&#%
#%!
!
"
!#
!
$!
!
!
!
!
!
!
"
"
%
&
"
"
$
'
"
%
&
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLMS6802 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR024N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU024N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR024PBF | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLR024Z | AUTOMOTIVE MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLMS5703TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLMS5703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLMS5703TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRLMS5703TRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single P-Channel 30 V 1.7 W 7.2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6 |
| IRLMS6702 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC MICRO-6 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。