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参数资料
| 型号： | IRLMS5703 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | IRLMS5703 |
IRLMS5703
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
50
100
150
200
250
300
350
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
V = -24V
V = -15V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 9
I = -1.6A
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
GS
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
100μs
1ms
10ms
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRLMS5703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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