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参数资料
| 型号： | IRS2118SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 13/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
IRS211(7,71,8)(S)
Figure 13: Negative V S transient SOA for IRS211(7,71,8) @ VBS=15V
Even though the IRS211(7,71,8) has shown the ability to handle these large negative V S transient conditions,
it is highly recommended that the circuit designer always limit the negative V S transients as much as possible
by careful PCB layout and component use.
www.irf.com
13
? 2008 International Rectifier
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2118SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC |
| IRS2118STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Sngl Hi Sd Drvr NonInvrt Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2123SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2123STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Indstrl Non-Invrt Hi Sd Drvr 600V 250mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2124SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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