参数资料
型号: IRS2118SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 20/26页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-SOIC
标准包装: 95
配置: 高端
输入类型: 反相
延迟时间: 125ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS211(7,71,8)(S)
Parameter Temperature Trends - 21171
500
400
300
500
400
300
200
Max.
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Max.
Typ.
100
0
Typ.
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0
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10
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18
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Temperature ( C)
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o
Figure 34A. IRS21171 Turn-On Tim e
vs. Tem perature
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V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 34B. IRS21171 Turn-On Tim e
vs. Supply Voltage
Max.
100
Max.
100
Typ.
Typ.
0
-50
-25
0
25
50
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0
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5
4
3
Temperature ( o C)
Figure 35A. IRS21171 Turn-Off Tim e
vs. Tem perature
5
4
3
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 35B. IRS21171 Turn-Off Tim e
vs. Supply Voltage
2
1
Mi n.
2
1
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 36A. IRS21171 Logic "1" Input Voltage
vs. Tem perature
www.irf.com
20
Vcc Supply Voltage (V)
Figure 36B. IRS21171 Logic "1" Input Voltage
vs. Supply Voltage
? 2008 International Rectifier
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IRS2123SPBF 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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