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参数资料
| 型号： | IRS2118SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 24/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
IRS211(7,71,8)(S)
Package Details: SOIC8N, Tape and Reel
LOADED TAPE FEED DIRECTION
F
B
NOTE : CONTROLLING
DIM ENSION IN M M
E
A
G
H
D
C
CARRIER TAPE DIMENSION FOR
Metric
Code Min Max
A 7.90 8.10
B 3.90 4.10
C 11.70 12.30
D 5.45 5.55
E 6.30 6.50
F 5.10 5.30
G 1.50 n/a
H 1.50 1.60
8SOICN
Imperial
Min Max
0.311 0.318
0.153 0.161
0.46 0.484
0.214 0.218
0.248 0.255
0.200 0.208
0.059 n/a
0.059 0.062
F
D
C
B
A
E
G
H
REEL DIMENSIONS FOR 8SOICN
www.irf.com
Metric
Code Min Max
A 329.60 330.25
B 20.95 21.45
C 12.80 13.20
D 1.95 2.45
E 98.00 102.00
F n/a 18.40
G 14.50 17.10
H 12.40 14.40
24
Imperial
Min Max
12.976 13.001
0.824 0.844
0.503 0.519
0.767 0.096
3.858 4.015
n/a 0.724
0.570 0.673
0.488 0.566
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| CSFM102-G | DIODE FAST 100V 1A SOD123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2118SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC |
| IRS2118STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Sngl Hi Sd Drvr NonInvrt Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| IRS2124SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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