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参数资料
| 型号： | IRS2118SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
IRS211(7,71,8)(S)
Qualification Information
MSL2 ??? 260°C
(per IPC/JEDEC J-STD-020C)
PDIP8
Qualification Level
Moisture Sensitivity Level
?
Industrial ??
(per JEDEC JESD 47)
Comments: This family of ICs has passed JEDEC’s
Industrial qualification. IR’s Consumer qualification level is
granted by extension of the higher Industrial level.
SOIC8
Not applicable
(non-surface mount package style)
ESD
IC Latch-Up Test
RoHS Compliant
Machine Model
Human Body Model
Class B
(per JEDEC standard EIA/JESD22-A115)
Class 3A
(per EIA/JEDEC standard JESD22-A114)
Class I, Level A
(per JESD78)
Yes
?
??
Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/
Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact
your International Rectifier sales representative for further information.
??? Higher MSL ratings may be available for the specific package types listed here. Please contact your
International Rectifier sales representative for further information.
www.irf.com
4
? 2008 International Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMC05DRYN-S13 | CONN EDGECARD 10POS .100 EXTEND |
| GEC17DRYN-S13 | CONN EDGECARD 34POS .100 EXTEND |
| CURM102-G | DIODE ULT FAST 1A 100V MINI SMA |
| CSFM103-G | DIODE FAST 300V 1A SOD123 |
| CSFM102-G | DIODE FAST 100V 1A SOD123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2118SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Driver IC |
| IRS2118STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Sngl Hi Sd Drvr NonInvrt Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2123SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2123STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Indstrl Non-Invrt Hi Sd Drvr 600V 250mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2124SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 500mA 140ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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