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参数资料
| 型号： | IRS2330JTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 19/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2330JTRPBFDKR |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
DC+ BUS
D BS
V CC
V B
(x3)
HO
C BS
(x3)
V S
R G,HO
(x3)
V S1
V S2
V S3
LO
ITRIP
(x3)
R G,LO
+
+
+
V SS
COM
V GE1
-
V GE2
-
V GE3
-
R 2
R 0
+
V X
R 1
-
DC- BUS
Figure 19: Separate V SS and VSO pins
Negative V S Transient SOA
A common problem in today’s high-power switching converters is the transient response of the switch node’s voltage as the
power switches transition on and off quickly while carrying a large current. A typical 3-phase inverter circuit is shown in Figure
20; here we define the power switches and diodes of the inverter.
If the high-side switch (e.g., the IGBT Q1 in Figures 21 and 22) switches off, while the U phase current is flowing to an
inductive load, a current commutation occurs from high-side switch (Q1) to the diode (D2) in parallel with the low-side switch
of the same inverter leg. At the same instance, the voltage node V S1 , swings from the positive DC bus voltage to the negative
DC bus voltage.
Figure 20: Three phase inverter
www.irf.com
19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM24DSEN | CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET |
| IR21844PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP |
| 0210490725 | CABLE JUMPER 1.25MM .051M 5POS |
| IRS21844PBF | IC DVR HALF BRIDGE 14-DIP |
| IRS2336DJTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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