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参数资料
| 型号： | IRS2330JTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 31/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2330JTRPBFDKR |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
9.6
9.4
9.2
9.0
9.8
9.6
9.4
9.2
8.8
9.0
8.6
8.4
8.2
8.0
7.8
Exp.
8.8
8.6
8.4
8.2
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
9.0
8.5
8.0
Temperature ( o C)
Fig. 62. V CC Supply Undervoltage Negative
Going Threshold vs. Temperature
Temperature ( o C)
Fig. 63. V CC Supply Undervoltage Positive
Going Threshold vs. Temperature
9.5
9.0
8.5
Exp.
Exp.
8.0
7.5
7.5
7.0
7.0
6.5
6.0
6.5
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
90
Temperature ( o C)
Fig. 64. V BS Supply Undervoltage Negative
Going Threshold vs. Temperature
Temperature ( o C)
Fig. 65. V BS Supply Undervoltage Positive
Going Threshold vs. Temperature
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
80
70
60
-50
-100
-150
50
Exp.
-200
40
-250
30
-300
Exp.
p.
20
-350
10
0
-400
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-450
Temperature ( o C)
Fig. 66. FAULT Low On-Resistance vs.
Temperature
www.irf.com
Temperature ( o C)
Fig. 67. Output High Short Circuit Pulsed
Current vs. Temperature
31
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM24DSEN | CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET |
| IR21844PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP |
| 0210490725 | CABLE JUMPER 1.25MM .051M 5POS |
| IRS21844PBF | IC DVR HALF BRIDGE 14-DIP |
| IRS2336DJTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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