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参数资料
| 型号： | IRS2330JTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 20/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2330JTRPBFDKR |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
DC+ BUS
Q1
ON
I U
V S1
Q2
D2
OFF
DC- BUS
Figure 21: Q1 conducting
Figure 22: D2 conducting
Also when the V phase current flows from the inductive load back to the inverter (see Figures 23 and 24), and Q4 IGBT
switches on, the current commutation occurs from D3 to Q4. At the same instance, the voltage node, V S2 , swings from the
positive DC bus voltage to the negative DC bus voltage.
Figure 23: D3 conducting
Figure 24: Q4 conducting
However, in a real inverter circuit, the V S voltage swing does not stop at the level of the negative DC bus, rather it swings
below the level of the negative DC bus. This undershoot voltage is called “negative V S transient”.
The circuit shown in Figure 25 depicts one leg of the three phase inverter; Figures 26 and 27 show a simplified illustration of
the commutation of the current between Q1 and D2. The parasitic inductances in the power circuit from the die bonding to the
PCB tracks are lumped together in L C and L E for each IGBT. When the high-side switch is on, V S1 is below the DC+ voltage
by the voltage drops associated with the power switch and the parasitic elements of the circuit. When the high-side power
switch turns off, the load current momentarily flows in the low-side freewheeling diode due to the inductive load connected to
V S1 (the load is not shown in these figures). This current flows from the DC- bus (which is connected to the VSO pin of the
HVIC) to the load and a negative voltage between V S1 and the DC- Bus is induced (i.e., the VSO pin of the HVIC is at a higher
potential than the V S pin).
www.irf.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM24DSEN | CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET |
| IR21844PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP |
| 0210490725 | CABLE JUMPER 1.25MM .051M 5POS |
| IRS21844PBF | IC DVR HALF BRIDGE 14-DIP |
| IRS2336DJTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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