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参数资料
| 型号： | IRS2330JTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 27/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 44-PLCC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 3 相桥 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 500ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 3 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-PLCC（32 引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC，32 引线 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1382 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRS2330JTRPBFDKR |
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IRS233(0,2)(D)(S&J)PbF
Parameter Temperature Trends
Figures 40-78 provide information on the experimental performance of the IRS233(0,2)(D)(S&J) HVIC. The line plotted in each
figure is generated from actual lab data. A small number of individual samples were tested at three temperatures (-40 oC, 25 oC,
and 125 oC) in order to generate the experimental (Exp.) curve. The line labeled Exp. consist of three data points (one data point
at each of the tested temperatures) that have been connected together to illustrate the understood temperature trend. The
individual data points on the curve were determined by calculating the averaged experimental value of the parameter (for a given
temperature).
800
700
800
700
600
500
400
300
200
100
0
Exp.
600
500
400
300
200
100
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
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800
700
Temperature ( o C)
Fig. 40. Turn-on Propagation Delay vs.
Temperature
800
700
Temperature ( o C)
Fig. 41. Turn-on Propagation Delay vs.
Temperature
600
500
400
300
200
100
0
Exp.
600
500
400
300
200
100
0
Exp.
-50
-25
0
25
50
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125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( o C)
Fig. 42. Turn-off Propagation Delay vs.
Temperature
www.irf.com
Temperature ( o C)
Fig. 43. Turn-off Propagation Delay vs.
Temperature
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM24DSEN | CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET |
| IR21844PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14-DIP |
| 0210490725 | CABLE JUMPER 1.25MM .051M 5POS |
| IRS21844PBF | IC DVR HALF BRIDGE 14-DIP |
| IRS2336DJTRPBF | IC GATE DRIVER HV 3PHASE 44-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2330SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3-Phase DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2330STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DJTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 3Phs Drvr IC w/ Intgr BSF & OperAmpl RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2332DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 200mA 420mA 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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