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参数资料
| 型号： | IS61LPS25636A-250TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 18/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61LPS25636A-250TQ |
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Integrated Silicon Solution, Inc.
25
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
TAP Electrical Characteristics OvertheOperatingRange(1,2)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Units
VOh1
OutputHIGHVoltage
IOh=–2.0mA
1.7
—
V
VOh2
OutputHIGHVoltage
IOh=–100A
2.1
—
V
VOl1
OutputLOWVoltage
IOl=2.0mA
—
0.7
V
VOl2
OutputLOWVoltage
IOl=100A
—
0.2
V
VIh
InputHIGHVoltage
1.7
Vdd+0.3V
VIl
InputLOWVoltage
–0.3
0.7
V
Ix
Input Leakage Current
Vss ≤VI≤Vddq
–10
10
A
Notes:
1. AllVoltagereferencedtoGround.
2. Overshoot:VIh (AC) ≤Vdd+1.5Vfort
≤ tTcyc/2,
Undershoot:VIl (AC)
≤ 0.5Vfort≤ tTcyc/2,
Power-up:VIh<2.6VandVdd<2.4VandVddq<1.4Vfort<200ms.
TAP AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS(1,2) (OVER OPERATINg RANgE)
Symbol Parameter
Min.
Max.
Unit
tTcyc
TCKClockcycletime
100
—
ns
fTf
TCKClockfrequency
—
10
MHz
tTh
TCKClockHIGH
40—
ns
tTl
TCKClockLOW
40
—
ns
tTMss
TMSsetuptoTCKClockRise
10
—
ns
tTdIs
TDIsetuptoTCKClockRise
10
—
ns
tcs
CapturesetuptoTCKRise
10
—
ns
tTMsh
TMSholdafterTCKClockRise
10
—
ns
tTdIh
TDIHoldafterClockRise
10
—
ns
tch
Capture hold after Clock Rise
10
—
ns
tTdOV
TCKLOWtoTDOvalid
—
20
ns
tTdOx
TCKLOWtoTDOinvalid
0
—
ns
Notes:
1.Bothtcs and tch refertotheset-upandholdtimerequirementsoflatchingdatafromtheboundaryscanregister.
2.TestconditionsarespecifiedusingtheloadinTAPACtestconditions.tr/tf=1ns.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPS25636A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IDT74FCT533ATL | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
| IDT74FCT533ATP | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
| IDT74FCT533ATSO | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
| IDT74FCT533C | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPS25636A-250TQI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS25636B-200TQLI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100LQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:200MHz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x20） 标准包装:72 |
| IS61LPS25672A | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS25672A-250B1 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 256Kx72 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPS25672A-250B1I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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