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参数资料
| 型号： | IS61LPS25636A-250TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 2/35页 |
| 文件大小： | 562K |
| 代理商： | IS61LPS25636A-250TQ |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
10
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
PIN CONFIGURATION
(3 Chip-Enable Option)
PIN DESCRIPTIONS
A0,A1
SynchronousAddressInputs.These
pinsmusttiedtothetwoLSBsofthe
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
Synchronous Controller Address Status
ADSP
SynchronousProcessorAddressStatus
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BWa
-BWb
SynchronousByteWriteEnable
BWE
SynchronousByteWriteEnable
CE
,CE2,CE2 SynchronousChipEnable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQb
SynchronousDataInput/Output
DQPa-DQPb
ParityDataI/O;DQPaisparityfor
DQa1-8;DQPbisparityforDQb1-8
GW
SynchronousGlobalWriteEnable
MODE
BurstSequenceModeSelection
OE
OutputEnable
Vdd
3.3V/2.5VPowerSupply
Vddq
IsolatedOutputBufferSupply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
SnoozeEnable
100-PIN TQFP (512K x 18)
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BWb
BWa
CE2
VDD
VSS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
NC
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VDDQ
NC
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
VDD
NC
A
46 47 48 49 50
(2 Chip-Enable Option)
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BWb
BWa
A
V
DD
VSS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
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MODE
A
A1
A0
NC
VSS
V
DD
NC
A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPS25636A-250TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IDT74FCT533ATL | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
| IDT74FCT533ATP | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
| IDT74FCT533ATSO | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
| IDT74FCT533C | FAST CMOS OCTAL TRANSPARENT LATCHES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPS25636A-250TQI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS25636B-200TQLI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100LQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:200MHz 接口:并联 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x20） 标准包装:72 |
| IS61LPS25672A | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS25672A-250B1 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 256Kx72 250MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPS25672A-250B1I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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