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参数资料
| 型号： | IS61NVP12836B-200B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 15/29页 |
| 文件大小： | 504K |
| 代理商： | IS61NVP12836B-200B3 |
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22
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. D
09/10/07
IS61NLP12832B
IS61NLP12836B/IS61NVP12836B
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
CKE
OPERATION TIMINg
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Q1
Q3
Q4
CLK
CKE
Address
WRITE
CE
ADV
OE
Data Out
Data In
D2
tSE tHE
tKH
tKL
tKC
tKQLZ
tKQHZ
tKQ
tDH
tDS
Don'tCare
Undefined
NOTES: WRITE=LmeansWE=LandBWx=L
CE
=LmeansCE1=L,CE2=HandCE2=L
CE
=HmeansCE1=H,orCE1=LandCE2=H,orCE1=LandCE2=L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7202SA120DB | 1K X 9 OTHER FIFO, 120 ns, CDIP28 |
| IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA35SO8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PDSO28 |
| ILUI-65656V-80SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, PDSO28 |
| ILCI-65656V-85SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NVP204818A-166TQLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B2LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B3LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NVP25636A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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