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参数资料
| 型号： | IS61NVP12836B-200B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 9/29页 |
| 文件大小： | 504K |
| 代理商： | IS61NVP12836B-200B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
17
Rev. D
09/10/07
IS61NLP12832B
IS61NLP12836B/IS61NVP12836B
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
READ/WRITE CYCLE SWITCHINg CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
-250
-200
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min. Max.
Unit
fmax
ClockFrequency
—
250
—
200
MHz
tkc
CycleTime
4.0
—
5
—
ns
tkh
ClockHighTime
1.7
—
2
—
ns
tkl
ClockLowTime
1.7
—
2
—
ns
tkq
ClockAccessTime
—
2.6
—
3.1
ns
tkqx(2)
ClockHightoOutputInvalid
0.8
—
1.5
—
ns
tkqlZ(2,3)
ClockHightoOutputLow-Z
0.8
—
1
—
ns
tkqhZ(2,3)
ClockHightoOutputHigh-Z
—
2.6
—
3.0
ns
toeq
OutputEnabletoOutputValid
—
2.8
—
3.1
ns
toelZ(2,3)
OutputEnabletoOutputLow-Z
0
—
0
—
ns
toehZ(2,3)
OutputDisabletoOutputHigh-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tAS
AddressSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
twS
Read/WriteSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tceS
ChipEnableSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tSe
ClockEnableSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tAdVS
AddressAdvanceSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tdS
DataSetupTime
1.2
—
1.4
—
ns
tAh
AddressHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
the
ClockEnableHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
twh
WriteHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tceh
ChipEnableHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tAdVh
AddressAdvanceHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tdh
DataHoldTime
0.3
—
0.4
—
ns
tPdS
ZZHightoPowerDown
—
2
—
2
cyc
tPuS
ZZLowtoPowerDown
—
2
—
2
cyc
Notes:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteedbutnot100%tested.Thisparameterisperiodicallysampled.
3. TestedwithloadinFigure2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7202SA120DB | 1K X 9 OTHER FIFO, 120 ns, CDIP28 |
| IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA35SO8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PDSO28 |
| ILUI-65656V-80SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, PDSO28 |
| ILCI-65656V-85SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NVP204818A-166TQLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B2LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B3LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NVP25636A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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