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参数资料
| 型号： | IS61NVP12836B-200B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 5/29页 |
| 文件大小： | 504K |
| 代理商： | IS61NVP12836B-200B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
13
Rev. D
09/10/07
IS61NLP12832B
IS61NLP12836B/IS61NVP12836B
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
LINEAR BURST ADDRESS TABLE (MODE = VSS)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINgS(1)
Symbol
Parameter
Value
Unit
TSTG
StorageTemperature
–65to+150
°C
Pd
PowerDissipation
1.6
W
IouT
OutputCurrent(perI/O)
100
mA
VIn, VouT
VoltageRelativetoVSSforI/OPins
–0.5toVddq + 0.5
V
VIn
VoltageRelativetoVSSfor
–0.5to4.6
V
for Address and Control Inputs
Notes:
1.StressgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycausepermanentdamagetothedevice.Thisisa
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sectionsofthisspecificationisnotimplied.Exposuretoabsolutemaximumratingconditionsforextendedperiodsmayaffectreli-
ability.
2.Thisdevicecontainscircuitytoprotecttheinputsagainstdamageduetohighstaticvoltagesorelectricfields;however,precau-
tionsmaybetakentoavoidapplicationofanyvoltagehigherthanmaximumratedvoltagestothishigh-impedancecircuit.
3. ThisdevicecontainscircuitrythatwillensuretheoutputdevicesareinHigh-Zatpowerup.
0,0
1,0
0,1
A1', A0' = 1,1
OPERATINg RANgE (IS61NLPx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
3.3V±5%
3.3V/2.5V±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
3.3V±5%
3.3V/2.5V±5%
OPERATINg RANgE (IS61NVPx)
Range
Ambient Temperature
VDD
VDDq
Commercial
0°Cto+70°C
2.5V±5%
Industrial
-40°Cto+85°C
2.5V±5%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7202SA120DB | 1K X 9 OTHER FIFO, 120 ns, CDIP28 |
| IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA35SO8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PDSO28 |
| ILUI-65656V-80SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, PDSO28 |
| ILCI-65656V-85SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NVP204818A-166TQLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B2LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B3LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NVP25636A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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