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参数资料
| 型号： | IS61NVP12836B-200B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 26/29页 |
| 文件大小： | 504K |
| 代理商： | IS61NVP12836B-200B3 |
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6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. D
09/10/07
IS61NLP12832B
IS61NLP12836B/IS61NVP12836B
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
165-PIN PBgA PACKAgE CONFIGURATION
256K x 18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
PinName
A
Address Inputs
A0,A1
SynchronousBurstAddressInputs
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance/
Load
WE
SynchronousRead/WriteControl
Input
CLK
SynchronousClock
CKE
Clock Enable
CE
, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
BW
x(x=a,b)
SynchronousByteWriteInputs
OE
Output Enable
ZZ
PowerSleepMode
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
BW
b
CKE
B
NC
A
WE
OE
C
NC
Vss
D
NC
DQb
Vss
NC
E
NC
DQb
Vss
F
NC
DQb
NC
G
NC
DQb
NC
H
NC
VDDQ
J
DQb
NC
DQa
K
DQb
NC
L
DQb
NC
Vss
M
DQb
NC
Vss
N
DQPb
NC
Vss
NC
P
NC
A1*
NC
R
MODE
A
NC
CE2
Vss
NC
A
NC
A
CE
VDDQ
NC
VDD
NC
BW
a
Vss
NC
CE
2
CLK
Vss
NC
A0*
NC
Vss
ADV
VDD
VDDQ
NC
DQa
NC
ZZ
DQa
DQPa
Note:A0andA1arethetwoleastsignificantbits(LSB)oftheaddressfieldandsettheinternalburstcounterifburstisdesired.
MODE
BurstSequenceSelection
VDD
3.3V/2.5VPowerSupply
NC
NoConnect
DQx
DataInputs/Outputs
DQPx
ParityDataI/O
VDDQ
IsolatedoutputPowerSupply
3.3V/2.5V
VSS
Ground
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7202SA120DB | 1K X 9 OTHER FIFO, 120 ns, CDIP28 |
| IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA35SO8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PDSO28 |
| ILUI-65656V-80SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, PDSO28 |
| ILCI-65656V-85SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NVP204818A-166TQLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B2LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B3LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NVP25636A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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