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参数资料
| 型号： | IS61NVP12836B-200B3 |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 29/29页 |
| 文件大小： | 504K |
| 代理商： | IS61NVP12836B-200B3 |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
9
Rev. D
09/10/07
IS61NLP12832B
IS61NLP12836B/IS61NVP12836B
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
PIN CONFIGURATION
100-Pin TQFP
256K x 18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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53
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51
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31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
NC
VDDQ
Vss
NC
DQPa
DQa
Vss
VDDQ
DQa
Vss
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
Vss
DQa
NC
Vss
VDDQ
NC
VDDQ
Vss
NC
DQb
Vss
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
Vss
DQb
VDDQ
Vss
DQb
DQPb
NC
Vss
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BW
b
BW
a
CE
2
V
DD
Vss
CL
K
WE
CKE
OE
AD
V
NC
A
MODE
A
A1
A0
NC
Vss
V
DD
NC
A
PIN DESCRIPTIONS
A0,A1
SynchronousAddressInputs.These
pinsmusttiedtothetwoLSBsofthe
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
CLK
SynchronousClock
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BW
a-BWd
SynchronousByteWriteEnable
WE
WriteEnable
CKE
Clock Enable
Vss
GroundforCore
NC
NotConnected
CE
, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQa-DQd
SynchronousDataInput/Output
DQPa-DQPd
ParityDataI/O
MODE
BurstSequenceSelection
Vdd
+3.3V/2.5VPowerSupply
VSS
GroundforoutputBuffer
Vddq
IsolatedOutputBufferSupply:+3.3V/2.5V
ZZ
SnoozeEnable
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7202SA120DB | 1K X 9 OTHER FIFO, 120 ns, CDIP28 |
| IDT7202SA25L8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, CQCC32 |
| IDT7202SA35SO8 | 1K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PDSO28 |
| ILUI-65656V-80SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 80 ns, PDSO28 |
| ILCI-65656V-85SHXXX | 32K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, CDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NVP204818A-166TQLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B2LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200B3LI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS61NVP25636A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NVP25636A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8Mb 256Kx36 200Mhz 2.5v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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