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参数资料
| 型号： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
| 封装： | 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. 00B
03/04/09
IS62WV10248DALL/BLL, IS65WV10248DALL/BLL
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (OverOperatingRange)
Symbol Parameter
Test Conditions
VDD
Min.
Max.
Unit
Voh
OutputHIGHVoltage
Ioh = -0.1mA
1.65-2.2V
1.4
—
V
Ioh = -1mA
2.4-3.6V
1.8
—
V
VoL
OutputLOWVoltage
IoL = 0.1mA
1.65-2.2V
—
0.2
V
IoL = 1mA
2.4-3.6V
—
0.4
V
VIh
InputHIGHVoltage
1.65-2.2V
1.4
Vdd + 0.2
V
2.4-3.6V
2.0
Vdd + 0.3
V
VIL(1)
InputLOWVoltage
1.65-2.2V
–0.2
0.4
V
2.4-3.6V
–0.2
0.8
V
ILI
InputLeakage
GND≤ VIn ≤ Vdd
–1
1
A
ILo
OutputLeakage
GND≤ Vout ≤ Vdd, OutputsDisabled
–1
1
A
Notes:
1. VIL (min.) = –0.3V dC; VIL (min)=-2.0VAC(pulsewidth<10ns).Not100%tested.
VIh (max.) = Vdd + 0.3V dC; VIh (max) = Vdd+2.0VAC(pulsewidth<10ns).Not100%tested.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Vterm
TerminalVoltagewithRespecttoGND
–0.2toVdd+0.3
V
tBIAS
TemperatureUnderBias
–40to+125
°C
Vdd
Vdd RelatedtoGND
–0.2to+3.8
V
tStg
StorageTemperature
–65to+150
°C
Pt
PowerDissipation
1.0
W
Note:
1.StressgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycausepermanentdamagetothe
device.Thisisastressratingonlyandfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionsabove
those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rat-
ing conditions for extended periods may affect reliability.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISB20-G | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3750 V ISOLATION-MAX |
| ISC-18128.2UH20% | 1 ELEMENT, 8.2 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18125.6UH20% | 1 ELEMENT, 5.6 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18124.7UH20% | 1 ELEMENT, 4.7 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18123.9UH20% | 1 ELEMENT, 3.9 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS62WV10248DBLL-45TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS62WV10248DBLL-55MLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55MLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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