- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录176102 > IS62WV10248DBLL-45MLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
| 封装： | 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
| 文件页数： | 14/15页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. 00B
03/04/09
IS62WV10248DALL/BLL, IS65WV10248DALL/BLL
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS(1) (OverOperatingRange)
45 ns
55 ns
70 ns
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
trC
ReadCycleTime
45
—
55
—
70
—
ns
tAA
AddressAccessTime
—
45
—
55
—
70
ns
tohA
OutputHoldTime
10
—
10
—
10
—
ns
tACS1/tACS2
CS1/
CS2AccessTime
—
45
—
55
—
70
ns
tdoe
OE
AccessTime
—
20
—
25
—
35
ns
thzoe(2)
OE
toHigh-ZOutput
—
15
—
20
—
25
ns
tLzoe(2)
OE
toLow-ZOutput
5
—
5
—
5
—
ns
thzCS1/thzCS2(2) CS1/CS2toHigh-ZOutput
0
15
0
20
0
25
ns
tLzCS1/tLzCS2(2) CS1/CS2toLow-ZOutput
10
—
10
—
10
—
ns
Notes:
1. Testconditionsassumesignaltransitiontimesof5nsorless,timingreferencelevelsof0.9V/1.5V,inputpulselevelsof0.4to
Vdd-0.2V/0.4VtoVdd-0.3VandoutputloadingspecifiedinFigure1.
2. TestedwiththeloadinFigure2.Transitionismeasured±500mVfromsteady-statevoltage.Not100%tested.
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1(1,2) (Address Controlled) (CS1 = OE = VIL, CS2 = WE = VIh)
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
tAA
tOHA
tRC
DOUT
ADDRESS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISB20-G | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3750 V ISOLATION-MAX |
| ISC-18128.2UH20% | 1 ELEMENT, 8.2 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18125.6UH20% | 1 ELEMENT, 5.6 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18124.7UH20% | 1 ELEMENT, 4.7 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18123.9UH20% | 1 ELEMENT, 3.9 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS62WV10248DBLL-45TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS62WV10248DBLL-55MLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55MLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。