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参数资料
| 型号： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
| 封装： | 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
| 文件页数： | 7/15页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
15
Rev. 00B
03/04/09
IS62WV10248DALL/BLL, IS65WV10248DALL/BLL
2.
Reference
document
:JEDEC
MO-207
1.
CONTROLLING
DIMENSION
:MM
.
NOTE
:
08/2
1/2008
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISB20-G | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3750 V ISOLATION-MAX |
| ISC-18128.2UH20% | 1 ELEMENT, 8.2 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18125.6UH20% | 1 ELEMENT, 5.6 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18124.7UH20% | 1 ELEMENT, 4.7 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| ISC-18123.9UH20% | 1 ELEMENT, 3.9 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS62WV10248DBLL-45TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS62WV10248DBLL-55MLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55MLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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