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参数资料
| 型号： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48 |
| 封装： | 9 X 11 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 456K |
| 代理商： | IS62WV10248DBLL-45MLI |
12
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. 00B
03/04/09
IS62WV10248DALL/BLL, IS65WV10248DALL/BLL
DATA RETENTION WAVEFORM (CS1 Controlled)
VDD
CS1
VDD - 0.2V
tSDR
tRDR
VDR
CS1
GND
Data Retention Mode
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS (1.65V - 3.6V)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Vdr
VddforDataRetention
SeeDataRetentionWaveform
1.4
3.6
V
Idr
DataRetentionCurrent
Vdd = 1.4V, CS1 ≥ Vdd –0.2V
Com.
—
4
20
A
Ind.
—
40
Auto.
—
95
tSdr
DataRetentionSetupTime SeeDataRetentionWaveform
0
—
ns
trdr
RecoveryTime
SeeDataRetentionWaveform
trC
—
ns
DATA RETENTION WAVEFORM (CS2 Controlled)
VDD
CS2 0.2V
tSDR
tRDR
VDR
CE2
GND
Data Retention Mode
* Typical Values are measured at VDD = 3V, TA = 25oC and not 100% tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISB20-G | TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3750 V ISOLATION-MAX |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS62WV10248DBLL-45TLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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| IS62WV10248DBLL-55MLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS62WV10248DBLL-55TLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (1Mx8) 55ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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