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参数资料
| 型号： | IS63LV1024L-8TI |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 8 ns, PDSO32 |
| 封装： | 0.400 INCH, TSOP2-32 |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | IS63LV1024L-8TI |
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. M
01/29/2010
IS63LV1024
IS63LV1024L
DATA VALID
READ1.eps
PREVIOUS DATA VALID
t AA
t OHA
t RC
DOUT
ADDRESS
t RC
t OHA
t AA
t DOE
t LZOE
t ACE
t LZCE
t HZOE
HIGH-Z
DATA VALID
CE_RD2.eps
ADDRESS
OE
CE
DOUT
t HZCE
READ CYCLE NO. 2(1,3)
Notes:
1.
WE is HIGH for a Read Cycle.
2. The device is continuously selected.
OE, CE = VIL.
3. Address is valid prior to or coincident with
CE LOW transitions.
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1(1,2)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS80C31-20W | 8-BIT, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40 |
| IS80C51W | 8-BIT, MROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP40 |
| ISD1416X | SPEECH SYNTHESIZER WITH RCDG, UUC25 |
| ISD1416PI | SPEECH SYNTHESIZER WITH RCDG, PDIP28 |
| ISD1416P | 16 SEC, SPEECH SYNTHESIZER WITH RCDG, PDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS63WV1024BLL | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS63WV1024BLL-12BI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| IS63WV1024BLL-12BLI | 功能描述:静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 12ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS63WV1024BLL-12BLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 12ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS63WV1024BLL-12HI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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