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参数资料
| 型号： | ISL9216IRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MULTI-CELL LI-ION PROT 32-QFN |
| 标准包装： | 60 |
| 功能： | 电池监控器 |
| 电池化学： | 锂离子（Li-Ion） |
| 电源电压： | 9.2 V ~ 31 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN 裸露焊盘（5x5） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1245 (CN2011-ZH PDF) |
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ISL9216, ISL9217
Operating Specifications All Specifications Apply to Both the ISL9216 and ISL9217 Separately Over the Recommended Operating
Conditions, Unless Otherwise Specified. (Continued)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Stop Condition Hold Time
t HD:STO From SDA rising edge to SCL falling edge.
4.0
μs
Both crossing V IH (min).
Data Output Hold Time
t DH
From SCL falling edge crossing V IL (max)
0
ns
until SDA enters the V IL (max) to V IH (min)
window. (Note 4)
SDA and SCL Rise Time
SDA and SCL Fall Time
Capacitive Loading of SDA or SCL
SDA and SCL Bus Pull-up Resistor - Off
Chip
t R
t F
Cb
R OUT
From V IL (max) to V IH (min).
From V IH (min) to V IL (max).
Total on-chip and off-chip
Maximum is determined by t R and t F .
For Cb = 400pF, max is about 2k Ω ~ 2.5k Ω
1
1000
300
400
ns
ns
pF
k Ω
For Cb = 40pF, max is about 15k Ω to 20k Ω
Input Leakage Current (SCL, SDA, SDAI,
I LI
-10
10
μA
SDAO, SCLHV, SDAIHV, SDAOHV)
Input Buffer LOW Voltage (SCL, SDA,
V IL1
Voltage relative to V SS of the device.
-0.3
V RGO x 0.3
V
SDAI)
Input Buffer HIGH Voltage (SCL, SDA,
V IH1
Voltage relative to V SS of the device.
V RGO x 0.7
V RGO + 0.1V
V
SDAI)
Input LOW Voltage (SDAIHV)
V IL2
SDAIHV pulled up to HCI2C. (ISL9216 only) V CELL5 - 0.3
V VCELL5 +
V
[V HVI2C -
V VCELL5 ] x 0.3
Input HIGH Voltage (SDAIHV)
V IH2
SDAIHV pulled up to HCI2C. (ISL9216 only) V VCELL5 +
V HVI2C + 0.1V
V
[V HVI2C -
V VCELL5 ] x
0.7
Output Buffer LOW Voltage (SDA, SDAO)
VOL1
I OL = 1mA
0.4
V
(voltage relative to V SS of the device)
Output Buffer LOW Voltage (SDAOHV)
VOL2
I OL = 1mA
V VCELL5 + 0.5
V
SDA, SCL, SDAI Input Buffer Hysteresis
I2CHYST Sleep bit = 0
0.05*V RGO
V
(Note 4)
NOTES:
3. Power-up of the device requires all VCELL1, VCELL2, VCELL3, and VCC to be above the limits specified.
4. The device provides an internal hold time of at least 300ns for the SDA signal to bridge the unidentified region of the falling edge of SCL.
5. Limits established by characterization and are not production tested.
6. Maximum output capacitance = 15pF
10
FN6488.1
November 2, 2007
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PDF描述 |
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参数描述 |
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