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参数资料
| 型号： | IXDN55N120D1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，55A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 100A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 3.8mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 450W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXDN 55N120 D1
I C
120
A
100
T J = 25°C
V GE =17V
15V
13V
I C
120
A
100
T J = 125°C
V GE =17V
15V
13V
80
60
11V
80
60
11V
40
20
0
9V
40
20
0
9V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5 3.0
3.5 V
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
I C
120
A
100
80
V CE = 20V
T J = 25°C
I F
180
A
150
120
T J = 125°C
T J = 25°C
60
40
20
0
90
60
30
0
5
6
7
8
9
10
11 V
0
1
2
3
V
4
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
V
V CE = 600V
120
300
I C
= 50A
A
ns
V GE 15
I RM
80
t rr
200
t rr
10
5
40
I RM
T J = 125°C
V R = 600V
I F = 50A
100
0
0
0
50
100
150
200
250 nC
0
0
200
400
600
IXDN55N120
A/
800 μ s 1000
Q G
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
? 2002 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
3-4
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