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参数资料
| 型号： | IXGN200N60A2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 200A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | PT |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 50µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 9.9nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IGBT
Optimized for Switching
up to 5 kHz
Preliminary Data Sheet
IXGN 200N60A2
E
V CES
I C25
V CE(sat)
= 600 V
= 200 A
= 1.35 V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
SOT-227B, miniBLOC
V CES
V CGR
V GES
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GE = 1 M ?
Continuous
600
600
± 20
V
V
V
G
E
V GEM
I C25
I C110
Transient
T C = 25 ° C
T C = 110 ° C
± 30
200
100
V
A
A
C
E
I CM
SSOA
(RBSOA)
P C
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C, 1 ms
V GE = 15 V, T VJ = 125 ° C, R G = 2.0 ?
Clamped inductive load
T C = 25 ° C
400
I CM = 200
@ 0.8 V CES
700
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
W
° C
° C
° C
G = Gate, C = Collector, E = Emitter
either emitter terminal can be used as
Main or Kelvin Emitter
Features
International standard package
miniBLOC
Aluminium nitride isolation
V ISOL
M d
50/60 Hz t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque (M4)
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
- high power dissipation
Isolation voltage 3000 V~
Very high current IGBT
Low V CE(sat) for minimum on-state
conduction losses
Weight
30
g
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Low collector-to-case capacitance
(< 50 pF)
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
V GE(th)
I C
= 1 mA, V CE = V GE
2.5
5.5
V
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
I CES
I GES
V CE(sat)
V CE = V CES
V GE = 0 V
V CE = 0 V, V GE = ± 20 V
I C = I C110 , V GE = 15 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.2
50
2
± 400
1.35
μ A
mA
nA
V
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with 2 screws
Space savings
High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99087A(11/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B3 | IGBT 300A 600V SOT-227B |
| IXGN200N60B | IGBT FAST 600V 200A SOT-227B |
| IXGN400N30A3 | IGBT 300V SOT-227B |
| IXGN400N60A3 | IGBT 400A 600V SOT-227B |
| IXGN400N60B3 | IGBT 600V 430A SOT-227 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXGN200N60B | 功能描述:IGBT 晶体管 200 Amps 600V 2.1 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN200N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN320N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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